超灵敏超长寿命插件贴片红外线 光敏二极管

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    1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的pn结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射pn结时，可以使pn结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2cu、2du等系列。

    2.光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。当具有光敏特性的pn 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。

1、光敏二极管工作原理

    光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个pn结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，pn结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且pn结的结深很浅，一般小于1微米。

    光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入pn结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。

    它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

2、光敏三极管工作原理

    光敏三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

    发射区和基区之间的pn结叫发射结，集电区和基区之间的pn结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，pnp型三极管发射区"发射"的是空 穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；npn型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是pn结在正向电压下的导通方向。硅光敏三极管和锗光敏三极管都有pnp型和npn型两种类型。半导体就像一个开关，可以通过导通与截止来控制电路。

1、光敏二极管主要参数 

1、Zui高反向工作电压bvr (reverse breakdown voltage)：是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1ma时所能承受的Zui高反向电压值。 

2、暗电流id(dark current)：是指光敏二极管在无光照及Zui高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。

3、光电流il(reverse lithg current)：是指光敏二极管在受到一定光照时，在Zui高反向工作电压下产生的电流。其参数数值会根据器件的使用功能分别测量，测量的条件一般有:用2856k钨丝光源，照度为1000lux；有用6500k白色荧光灯光源，照度为1000lux,不过进行批量生产时，都会用白光led来做替代光源，或是选用940nm波段红外光源，强度为1mw/m2 进行测试。   

4、光电灵敏度sn：它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为µa/µw。

5、响应时间tr/tf (rise/fall time)：光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间，一般为几十纳秒。响应时间越短，说明光敏二极管的工作频率越高。                    

6、正向压降vf：是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。    

7、结电容ct(total capacitance)：指光敏二极管pn结的电容，ct是影响光电响应速度的主要因索,结面积越小，结电容ct也就越小，则工作频率越高。而光敏二极管的响应时间主要取决于管中结电容和外部电路电阻的乘积。

2、光敏三极管主要参数

1、暗电流id：:在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。

2、光电流il：在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。

3、集电极一发射极击穿电压vce：在无光照下，集电极电流ic为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。

4、 Zui高工作电压vrm：在无光照下，集电极电流ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为Zui高工作电压。

5、Zui大功率pm：Zui大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的Zui大功率。

6、峰值波长λp：当光敏三极管的光谱响应为Zui大时对应的波长叫做峰值波长。

7、光电灵敏度：在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。

8、响应时间：响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 x 10-3 --- 1 x 10-7s。

1.光电流（亮电流）

光敏二极管的光电流一般只有几个微安到几百微安。

光敏三极管的光电流一般都在几豪安以上至少也在几百毫安。 

2.暗电流

光敏二极管与光敏三极管的暗电流相差不大，而且一般都不会超过1ua，大多在0.51ua以下。

3.响应时间

光敏二极管的响应时间一般都在百纳秒以下pn结和雪崩型的响应时间还要小。

光敏三极管的响应时间却长达5-10微秒，复合型光敏三极管的响应时间还要长，因此在调制光信号和光脉冲时工作的光敏三极管要慎重选择。 

4.输出特性 

光敏二极管在很宽的入射光照度范围内，都具有线性的光电流。 

光敏三极管的输出线性度却较差，且在低照度时灵敏度低，而在高照度中光电流又有饱和趋势只在照度适中时有一个线性区。不同光敏三极管的光电流特性的线性区范围不同，即使是同类型的管子的特性也有差异。但光敏二极则不然，一般都有很好的线性特性。

     用黑布包住管子，用万用表r×1 kω档，两表笔正、反向各测两引脚一次，所测的阻值应均为无穷大。对于npn 型管子，红表笔接发射极e，黑表笔接集电极c，移去遮光布，这时表针应向右偏转，阻值由无穷大向阻值小的方向偏转至15～35 kω 左右，则说明光敏晶体管是正常的。偏转的角度越大，其灵敏度越高。若表针没有偏转仍在无穷处或阻值为零，说明该管已开路或短路损坏。

 注：光敏二极管和光敏晶体管形几乎一样，上述检测方法也可用来区分它们。遮住窗口测量两引脚间的正、反向电阻，电阻值一大一小者是光敏二极管，正、反向阻值均为无穷大者是光敏晶体管。

1、加装滤色片：光敏二极管与光敏三极管的光谱响应曲线，可延伸到可见光区。在有较强光(如靠近功率较大的灯具或在强烈h光下)干扰的环境下。除电路设计时考虑抗干狁环节外,应给光敏二极管和光敏三极管加装滤色片，以滤掉可见光部分,不致使光敏管饱和而失控，使遥控电路工作更加可靠。滤色片可用颜色较深的红色有机玻璃或胶片制成，安装在接收器的接收窗口上即可。
2、管脚引线长度选择：光敏二极管与光敏三极管与电路的引线不能过长，是将管子引线直接焊在电路板上，引线过长会引进干扰。
3、管子使用时不要超过极限参数值：产品参数给出的极限参数不得超限使用，否则不能正常工作或损坏器件。

4、所选的管子的光谱响应范围和入射光的光谱特性应匹配。
5、使用聚光透镜：光敏二极管和光敏三极管也可使用聚光透镜.以增加接收距离。

本产品的加工定制是是，品牌是Y.LIN，型号是XXXXXXXX，种类是光学接收器件，波段范围是可见光近红外，运转方式是连续式，激励方式是电激励式，工作物质是半导体，光路径是内光路，输出形式是光敏器件型，传输信号是高线性型，速度是高速，通道是单通道，输出波长是0.00（nm），线宽是1.11（mm），Zui大工作电流是20MA，暗电流是小于100nA，击穿电压是30V